接近絕對零度的類腦晶片技術突破

香港大學研究團隊於2026年6月19日發表重大突破，成功開發出一種能在接近絕對零度（10 mK）環境下運作的類腦晶片。該技術利用碳化矽（SiC）金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）的特殊物理特性，實現了類似生物神經元的脈衝活動，為量子計算與深空探測領域提供了極具潛力的硬體解決方案。 研究核心在於利用碳化矽材料在極低溫下產生的負微分電阻（NDR）效應。此效應源於材料內部的原子結構，而非傳統的熱相關過程，因此具備高度的穩定性與可重複性。這項技術能顯著降低量子計算系統的熱負荷，並簡化量子位元控制電路的複雜度，解決了當前量子電腦擴展規模的關鍵瓶頸。 該研究不僅提升了量子錯誤修正與即時控制的效率，其耐極低溫的特性也為深空探測任務開闢了新路徑。由於碳化矽已廣泛應用於電動車與電力網，該技術可直接利用現有的工業晶圓代工廠進行量產，具備極高的商業化與實用價值。 對於相關領域的專業人士而言，此項成果標誌著類腦計算與低溫電子學的深度融合。未來應用將不僅限於量子處理器，更可延伸至月球表面或深空環境下的科學儀器，實現極端環境下的高效能數據處理。